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详解夹层电阻结构及其应用
2022-12-05 23:17
本文摘要:在仿真电路的设计中,常常不会中用一种类似的夹层电阻,但是关于该电阻的涉及讲解较较少。文章明确提出了一种夹层电阻的结构,对其原理展开了详尽的分析,在此基础上,利用该夹层电阻,设计了一款反对长工作电压范围的振荡器。 最后,又对该振荡器展开优化改良,使其能适应环境3~30V的长工作电压,并且在5.5~30V范围内维持输入频率恒定,更进一步阐释了该夹层电阻的原理和特性。 1章节 在集成电路的线路设计中,尤其是仿真电路的设计中,不可避免地都会必须中用电阻。

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在仿真电路的设计中,常常不会中用一种类似的夹层电阻,但是关于该电阻的涉及讲解较较少。文章明确提出了一种夹层电阻的结构,对其原理展开了详尽的分析,在此基础上,利用该夹层电阻,设计了一款反对长工作电压范围的振荡器。

最后,又对该振荡器展开优化改良,使其能适应环境3~30V的长工作电压,并且在5.5~30V范围内维持输入频率恒定,更进一步阐释了该夹层电阻的原理和特性。  1章节  在集成电路的线路设计中,尤其是仿真电路的设计中,不可避免地都会必须中用电阻。对于较低阻值的应用于,一般可以用铝线电阻、多晶电阻、N+电阻或者P+电阻等构建。

对于更大一点的电阻,则可以用N阱电阻、P阱电阻或者低压多晶等构建。对于更高阻值拒绝,或者阻值拒绝低但是闲置面积要小且精度拒绝不低,这时候可以用倒比的MOS管或者夹层电阻来构建。

顾名思义,夹层电阻就是被其他层次垫在中间的电阻,夹层电阻的方块阻值一般在5~50kOmega;,随着电压的提升,还可以到100kOmega;或更高。  2夹层电阻结构及原理特性分析  2.1夹层电阻的结构  在集成电路工艺中,构建夹层电阻有很多种方法。本文研究的夹层电阻就是其中的一种,它不必须通过额外减少光刻MASK层就能构建。图1为该夹层电阻的平面示意图。

  图1中,夹层电阻区为低浓度的P型流经区,它主要利用工艺中的现有层次构建,比如Pbase层或者Pbody层。该P型夹层电阻区被N+和N阱几乎围困,因此该结构就是一个被N+和N阱两个层次垫在中间的P型夹层电阻。  2.2夹层电阻的特性  夹层电阻的优势是阻值很高,缺点是对电压较为脆弱。

对该夹层电阻展开I-V扫瞄,接续电压为0V,Q为0.5V,结果找到如下特性:当电阻两端电压从0开始减少时,夹层电阻的阻值很快下降,但是到电压多达4V左右后,电阻阻值虽然还是之后减少,但是此时呈现线性下降的特性,即电阻追随电压呈圆形比例地下降,当电压到14~15V左右时,电阻开始急遽增大,呈现穿透效应。把上述电阻测试时的I-V数值展开曲线拟合,获得图2.  图2中,拐点Vp大约为4V,拐点Vb大约为14~15V.。


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